Transistor mosfet nanométrique

Fayçal DJEFFAL - Collection Omn.univ.europ.

100 pages, parution le 01/12/2010

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Résumé

La diminution soutenue des dimensions du transistor accélère la rencontre de la microélectronique avec la mécanique quantique et d''autres lois régissent désormais le transport des électrons. La simulation des composants microélectroniques a donc besoin de nouvelles théories et techniques de modélisation améliorant la compréhension physique des dispositifs de taille nanométrique. Ce livre présente le principe des techniques évolutionnaires (GA, PSO,...) et leurs applications dans le domaine de la modélisation des composants nanoélectroniques. Le manuscrit donne les bases nécessaires à la compréhension des GAs et l''optimisation par PSO. Il présente l''état de l''art des travaux récemment publiés et les plus significatifs dans le domaine de la modélisation compacte du transistor à double-grilles et leurs limites de validité, et expose ensuite l''approche de la modélisation numérique du DG MOSFET aux dimensions ultimes basée sur le formalisme des fonctions de Green hors-équilibre (NEGF). Finalement, des nouveaux modèles analytiques optimisés qui permettent d''étudier le comportement du transistor DG MOSFET nanométrique sont développés en utilisant les techniques évolutionnaires.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Fayçal DJEFFAL
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	01/12/2010
Nb. de pages	100
Format	15.2 x 22.9
Couverture	Broché
Poids	160g
EAN13	9786131552021