Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs

Collectif - Collection Omn.univ.europ.

88 pages, parution le 26/11/2010

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QUANTITÉ

Résumé

Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l''industrie des composants électroniques, permet d''atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C''est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d''azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T<240K) et les concentrations du dopants (dopage) élevées (N>10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent être utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l''effet de n''importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Collectif
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	26/11/2010
Nb. de pages	88
Format	15.2 x 22.9
Couverture	Broché
Poids	142g
EAN13	9786131551390