Instrumentation cryogénique en technologie bicmos sige

Prele-D - Collection Omn.univ.europ.

208 pages, parution le 23/09/2010

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QUANTITÉ

Résumé

Les travaux présentés dans ce manuscrit de thèse sont consacrés au fonctionnement des technologies bipolaires, et plus particulièrement des technologies BiCMOS SiGe, pour une utilisation à température cryogénique. Un état de l'art sur les transistors bipolaires et les bruits électroniques que l'on rencontre sur ce genre de technologie sont donnés avec une approche orientée vers les basses températures. Ces rappels permettent d'aborder les mesures, des paramètres basse fréquence et du bruit, réalisées sur des transistors bipolaires silicium et sur deux technologies SiGe à 300 K, 77 K et 4.2 K. Il est ensuite présenté deux réalisations d'ASIC cryogénique en technologie standard BiCMOS SiGe. La première est un amplificateur bas bruit (1 nV/sqrtHz) et large bande (1 GHz) fonctionnant à 77 K. Il est destiné à la caractérisation de bolomètres supraconducteurs YBaCuO à électrons chauds. La seconde réalisation est un circuit de lecture et de multiplexage de matrice de SQUID. Il est, en particulier, présenté le développement, la réalisation et le test d'un amplificateur ultra bas bruit (0.2 nV/sqrtHz) à entrées multiplexées fonctionnant à 4.2 K.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Prele-D
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	23/09/2010
Nb. de pages	208
Format	15.2 x 22.9
Couverture	Broché
Poids	313g
EAN13	9786131537035