Impact des perturbations électromagnétiques sur les composants si/sige

Le transistor bipolaire à hétérojonction si/sige sous contraintes électromagnétiques: des dégradatio

Ali Alaeddine - Collection Omn.univ.europ.

220 pages, parution le 05/09/2011

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QUANTITÉ

Résumé

Cette travail propose une nouvelle méthodologie pour l'étude de la fiabilité des TBHs en technologie SiGe. L'originalité de cette étude vient de l'utilisation d'une contrainte électromagnétique efficace et ciblée à l'aide du banc champ proche. Les caractérisations statiques ont montré la présence des courants de fuite à l'interface Si/SiO2.Ceci est attribué à un phénomène de piégeage induit par des porteurs chauds. Ce phénomène a été abordé par la modélisation physique en étudiant l'influence des pièges d'interfaces sur la dérive des performances. Afin de visualiser les défaillances qui peuvent être détectées par microscopie, des observations en haute résolution MET et des analyses EDS ont été présentées. Ces analyses microscopiques ont mis en évidence les dégradations des couches de titane. Ces dégradations sont attribuées à un phénomène de migration de l'or (Au) vers le titane (Ti) due à la forte densité de courant induite par vieillissement. Ces réactions Au-Ti provoquent une augmentation de la résistivité des couches conductrices et expliquent une partie de la dégradation significative des performances dynamiques du TBH.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Ali Alaeddine
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	05/09/2011
Nb. de pages	220
Format	15 x 22
Couverture	Broché
Poids	330g
EAN13	9786131587214