Etude expérimentale des couches minces de trisulfure de bismuth

Naceur Selmane - Collection Omn.univ.europ.

128 pages, parution le 01/09/2018

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QUANTITÉ

Résumé

Les matériaux choisis pour l'application photovoltaïque doivent répondre à certains critères imposés par l'application visée, ils doivent avoir une bande interdite d'énergie adaptée au rayonnement solaire (1.1-1.8 eV), et un fort coefficient d'absorption optique ( >105 cm-1) dans la gamme de spectre solaire, afin de présenter une grande efficacité de conversion d'énergie. Ainsi beaucoup de matériaux sont en voie d'émerger dans ce domaine, parmi ceux-ci nous citons les chalcogenures de métaux de transition. Le trisulfure de bismuth Bi2S3 est un matériau semiconducteur faisant partie de cette famille, il présente des propriétés électronique, électrique et optique intéressantes pour les applications optoélectroniques notamment le domaine photovoltaïque. La bande interdite du Bi2S3 est de nature directe et la valeur de sa largeur est Eg =1.66eV. L'objectif de nôtre travail est double. Tout d'abord, la mise au point de matériaux Semiconducteurs sous forme de couches minces, possédant les propriétés pré requises pour leurs utilisations comme couches absorbantes dans des cellules solaires. Le second objectif est d'utiliser des techniques d'élaboration simples et peu coûteuses.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Naceur Selmane
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	01/09/2018
Nb. de pages	128
Format	15.2 x 22.9
Couverture	Broché
Poids	200g
EAN13	9786202280310