Elaboration et caractérisation des dépôts aluminium sur silicium
Fayssal Boufelgha - Collection Omn.univ.europ.
96 pages, parution le 01/07/2019
Résumé
Dans ce travail nous nous sommes intéressés à la croissance et la diffusion superficielle de l'Aluminium sur un substrat de Silicium (400). Ce travail comporte deux parties : La première partie consiste à réaliser sous-vide et à température ambiante des dépôts de différentes épaisseurs d = 240, 510, 720, 870 et 1050 A°. Ces dépôts ont été analysés quantitativement par DRX. L'Aluminium semble croisse sur le silicium selon le mode de Frank-van Der Merwe. La deuxième partie de notre travail est consacrée à l'étude de l'effet de la température de recuit sur la morphologie des dépôts réalisés à température ambiante. Les températures de recuits sont : 100,150, 200, 250, 300, 350 et 400C°. D'après les résultats d'analyse par DRX des dépôts traités, les îlots (2D) d'Aluminium formés à température ambiante se transforment en augmentant la température de recuit, en îlots (3D) plus hauts et plus ramenés.
Caractéristiques techniques
| PAPIER | |
| Éditeur(s) | Editions universitaires européennes |
| Auteur(s) | Fayssal Boufelgha |
| Collection | Omn.univ.europ. |
| Parution | 01/07/2019 |
| Nb. de pages | 96 |
| Format | 15.2 x 22.9 |
| Couverture | Broché |
| Poids | 154g |
| EAN13 | 9783841669414 |
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