Elaboration des nitrures de gallium avec traitement si/n
Application aux diodes electroluminescentes
Zohra Benzarti - Collection Omn.univ.europ.
160 pages, parution le 19/10/2011
Résumé
Le traitement Si/N, lors de l'élaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de l'épaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.
Caractéristiques techniques
| PAPIER | |
| Éditeur(s) | Editions universitaires européennes |
| Auteur(s) | Zohra Benzarti |
| Collection | Omn.univ.europ. |
| Parution | 19/10/2011 |
| Nb. de pages | 160 |
| Format | 15 x 22 |
| Couverture | Broché |
| Poids | 245g |
| EAN13 | 9786131597275 |
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