Analyse et optimisation de transistors pour amplification de puissance

Gaquiere-C - Collection Omn.univ.europ.

308 pages, parution le 14/12/2010

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QUANTITÉ

Résumé

L''amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d''une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d''améliorations. L''étude se poursuit avec une recherche de l''influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l''aide d''un banc à charge active permettant d''avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l''amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Gaquiere-C
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	14/12/2010
Nb. de pages	308
Format	15.2 x 22.9
Couverture	Broché
Poids	455g
EAN13	9786131554520