Transfert de chaleur à l'échelle nanométrique dans les nano mosfets

Faouzi Nasri - Collection Omn.univ.europ.

56 pages, parution le 01/08/2018

Ajouter à une liste

Expédié sous 9 jours

Livraison à partir de 0,01€ dès 35€ d'achats
Pour une livraison en France métropolitaine

QUANTITÉ

Résumé

Le concept des technologies à base de matériaux organiques ont connus une innovation rapide dans l'industrie des semi-conducteurs. L'avantage des matériaux organiques dans l'industrie de l'électronique est de créer des composants électroniques très puissants. En outre, les dispositifs à base de graphène sont fabriqués pour remplacer les les dispositifs à base de silicium. L'idée principale dans ce travail, est d'évaluer l'avantage des transistors à base de graphène. De plus, nous étudions la stabilité thermique des nano-transistors. Dans la première étape, nous étudions la capacité de notre modèle à prédire la conduction thermique dans nano transistors MOSFET de 10 nm de canal. D'autre part, nous avons étudié le processus de conduction dans les transistors à base de graphène. Le modèle balistique-diffusive (BDE), le modèle à double retard de phase (DPL) et un modèle électro-thermique ont été résolus numériquement pour évaluer le transport des phonons dans les nano transistors.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Faouzi Nasri
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	01/08/2018
Nb. de pages	56
Format	15.2 x 22.9
Couverture	Broché
Poids	97g
EAN13	9786138412861