Propriétés optiques et electroniques de gaasn, gaassb et gaasnsb

Sedrine-N - Collection Omn.pres.franc.

188 pages, parution le 11/09/2012

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QUANTITÉ

Résumé

L'objectif de ce travail est la détermination des indices complexes, des fonctions diélectriques inconnues ainsi que l'analyse de l'effet d'incorporation des atomes d'azote et d'antimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, élaborées par la technique d'épitaxie par jets moléculaires (MBE), en utilisant la technique d'ellipsométrie spectroscopique. Ces alliages semiconducteurs, basés sur la substitution de l'arsenic dans GaAs avec de l'azote et/ou avec l'antimoine, ayant une énergie de bande interdite plus faible que celle du GaAs, et des propriétés optiques qui dépendent fortement de la composition d'alliage ainsi que de l'état de contrainte, présentent un grand intérêt dans le domaine de l'optoélectronique. L'analyse des résultats ellipsométriques par l'utilisation du modèle standard des points critiques (SCP) et du modèle de la fonction diélectrique d'Adachi (MDF) pour la paramétrisation de la fonction diélectrique de l'alliage nous ont permis de déterminer avec une grande précision les paramètres des points critiques dans les différentes directions cristallographiques.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Presses Academiques Francophones
Auteur(s)	Sedrine-N
Collection	Omn.pres.franc.
Parution	11/09/2012
Nb. de pages	188
Format	15.2 x 22.9
Couverture	Broché
Poids	285g
EAN13	9783838172934