Modélisation et simulation spice des composants de puissance

Lotfi Messaadi - Collection Omn.univ.europ.

148 pages, parution le 07/07/2016

Ajouter à une liste

Expédié sous 9 jours

Livraison à partir de 0,01€ dès 35€ d'achats
Pour une livraison en France métropolitaine

QUANTITÉ

Résumé

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d'énergie interdite. Ce matériau possède des caractéristiques en température et une tenue aux champs électriques bien supérieures à celles du silicium. Les dispositifs à base de ce matériau (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements à haute température, haute puissance, haute tension et haute radiation. Ces caractéristiques permettent des améliorations significatives dans une grande variété d'applications et de systèmes de puissance. Dans ce travail on présente des études analytiques comparatives des modèles des composants à semi-conducteurs en SiC, ainsi que les principales caractéristiques statiques, dynamiques, et thermiques des meilleurs composants comme SiC-JFET, SiC diode Schottky et le SiC-MOSFET, de puissance commercialisés de différent constructeurs en raison d'élaborer un plan de choix guidant les concepteurs des circuits d'électronique de puissance de sélectionner le composant le plus adapté à leur cahier de charge selon leurs objectifs et selon les performances de leurs convertisseurs de puissance.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Lotfi Messaadi
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	07/07/2016
Nb. de pages	148
Format	15.2 x 22.9
Couverture	Broché
Poids	228g
EAN13	9783847389798