Modélisation du courant drain induit par la grille

Touhami-A - Collection Omn.univ.europ.

160 pages, parution le 30/01/2012

Ajouter à une liste

Expédié sous 9 jours

Livraison à partir de 0,01€ dès 35€ d'achats
Pour une livraison en France métropolitaine

QUANTITÉ

Résumé

En se basant sur le modèle des bandes d'énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Touhami-A
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	30/01/2012
Nb. de pages	160
Format	15.2 x 22.9
Couverture	Broché
Poids	245g
EAN13	9783841789563