Intégration du siliciure de nickel

Pour les technologies cmos décananométriques

Benoit Froment - Collection Omn.univ.europ.

228 pages, parution le 06/02/2012

Ajouter à une liste

Expédié sous 9 jours

Livraison à partir de 0,01€ dès 35€ d'achats
Pour une livraison en France métropolitaine

QUANTITÉ

Résumé

Le siliciure de nickel pur ou allié avec du platine est maintenant utilisé comme contacts dans les technologies CMOS car il nécessite un plus faible budget thermique, possède une plus faible résistivité, consomme moins de silicium, a une formation contrôlée par la diffusion et permet d'obtenir une phase peu résistive sur SiGe, contrairement à son prédécesseur le siliciure de cobalt. Malgré ces avantages, un certains nombre de problèmes restent liés à son intégration dans des dimensions décananométriques. Au-delà d'une meilleure connaissance du comportement en température et des propriétés du siliciure de nickel en couches très minces, l'objectif de cet ouvrage est d'améliorer notre connaissance du NiSi, pour l'intégrer sur les noeuds technologiques inférieurs au 65nm, et de caractériser et d'éventuellement résoudre tous les défis relatifs à l'intégration de ce nouveau matériau dans un environnement toujours plus dense. L'ensemble des résultats et des caractérisations réalisées ont permis de proposer un scénario de formation de l'intrusion du siliciure dans le canal. Ce livre s'adresse principalement aux étudiants, professeurs et chercheurs en micro et nano-électronique.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Benoit Froment
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	06/02/2012
Nb. de pages	228
Format	15 x 22
Couverture	Broché
Poids	342g
EAN13	9783841788849