Formation d'interface métal-semiconducteur

Zineddine Imam - Collection Omn.univ.europ.

76 pages, parution le 01/07/2018

Ajouter à une liste

Expédié sous 9 jours

Livraison à partir de 0,01€ dès 35€ d'achats
Pour une livraison en France métropolitaine

QUANTITÉ

Résumé

Etudier d'un point de vue fondamental les propriétés physiques des matériaux constitutifs des composants à semi-conducteurs afin de mieux comprendre les mécanismes qui les gouvernent, puis d'améliorer les performances des dispositifs est un des axes prioritaires de la recherche scientifique mondiale. La première partie (originalité) : tracé d'un réseau de véritables isothermes d'adsorption à l'aide de la spectroscopie Auger, en dépit de la difficulté expérimentale, à établir des conditions d'équilibre puis ajuster ces isothermes expérimentales à une isotherme de Fowler et obtenir ainsi directement les énergies d'interaction dépôt-substrat et dépôt-dépôt . La seconde partie, présente une étude comparative des premiers stades de la formation des interfaces métal-noble/ Si(100). La majorité des expériences ayant porté sur l'interface Au/Si(100). A température ambiante, les toutes premières couches d'or forment un alliage amorphe avec les atomes de surface de Si, tandis qu'à haute température, la croissance est du type(SK). En conclusion, ce travail ouvre la voie à des études ultérieures de l'évolution conjointe des structures électronique et structurales dans ces systèmes.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Zineddine Imam
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	01/07/2018
Nb. de pages	76
Format	15.2 x 22.9
Couverture	Broché
Poids	126g
EAN13	9786202286466