Étude par microscopie à force atomique

Jerome Thiault - Collection Omn.univ.europ.

176 pages, parution le 12/10/2010

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QUANTITÉ

Résumé

Ce travail de thèse s''inscrit dans le contexte de miniaturisation des transistors MOS afin de mener la technologie CMOS à ces dimensions ultimes. Avec les techniques actuelles de fabrication et pour des longueurs de grille de transistor inférieures à 30nm, les variations moyennes de la longueur de grille, appelées rugosité de bord, entraînent des fluctuations électriques dans le transistor inacceptables pour le bon fonctionnement des futures générations de dispositifs. Il convient donc de contrôler ce paramètre afin de le réduire. Pour réussir ce défi technologique, il est essentiel de le mesurer avec précision afin, par la suite, de comprendre ses origines et son évolution après chaque étape technologique de fabrication. Dans ce travail de thèse, nous nous sommes intéressés à la mesure la rugosité de bord, à l''aide d''un nouvel équipement de métrologie: le microscope à force atomique en trois dimensions. Nous avons évalué les capacités de cet outil et déterminé un protocole de mesure de la rugosité de bord, qui nous a permis ensuite d''étudier ses origines et d''étudier son évolution lors des différentes étapes technologiques de fabrication d''une grille de transistors MOS.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Jerome Thiault
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	12/10/2010
Nb. de pages	176
Format	15.2 x 22.9
Couverture	Broché
Poids	268g
EAN13	9786131531705