Conception et réalisation de transistors à effet de champ à 94 ghz
Transistors sur substrat inp pour amplification de puissance en bande w
Farid Medjdoub - Collection Omn.univ.europ.
176 pages, parution le 01/12/2011
Résumé
L'objectif de ce travail est la conception et la réalisation de transistors à effet de champ (TEC) sur substrat InP pour l'amplification de puissance en bande W. Le but est d'étudier les potentialités en puissance de différents TEC dans la filière InP à 94 GHz. La montée en fréquence requiert la diminution des dimensions du composant, ce qui est assurément défavorable à une bonne tenue en tension. Notre défi était de tenter d'élaborer des transistors capables de fonctionner à cette fréquence et possédant une tension de claquage élevée. Une structure à canal InAsP délivrant une fréquence de coupure de 140 GHz, une fréquence maximum d'oscillation de 430 GHz et un gain maximum disponible à 94 GHz de 13 dB avec une grille de 70 nm nous a permis d'atteindre l'état de l'art mondial en puissance à 94 GHz des HEMTs sur substrat InP.
Caractéristiques techniques
| PAPIER | |
| Éditeur(s) | Editions universitaires européennes |
| Auteur(s) | Farid Medjdoub |
| Collection | Omn.univ.europ. |
| Parution | 01/12/2011 |
| Nb. de pages | 176 |
| Format | 15 x 22 |
| Couverture | Broché |
| Poids | 268g |
| EAN13 | 9786131504327 |
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