Caractérisation électrique des transistors finfets

Bruit basse fréquence

Rachida Talmat - Collection Omn.univ.europ.

152 pages, parution le 25/05/2011

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QUANTITÉ

Résumé

Dans ce travail, des mesures en régime statique et en bruit ont été effectuées sur des transistors FinFETs réalisés sur substrat SOI, issus de la technologie 32 nm, ayant deux différents isolants de grille. L'un est l'oxyde d'hafnium et le second est le silicate d'hafnium nitruré. La plupart de ces dispositifs ont subi des techniques de contrainte mécanique locales et globales. Les résultats de mesures en statique ont montré l'amélioration considérable des performances dans les transistors contraints par rapport aux transistors standards. Les résultats de mesures de bruit ont permis d'évaluer la qualité de l'isolant de ces dispositifs, le silicate d'hafnium nitruré semble avoir une meilleure qualité. L'étude du bruit a permis aussi d'apporter des informations sur le transport ainsi que sur les mécanismes physiques qui génèrent le bruit en 1/f dans ces dispositifs. Les mesures de bruit en fonction de la température (100 K 300 K) ont permis d'identifier des défauts, souvent liés à la technologie de fabrication, dans le film de silicium par la méthode de spectroscopie de bruit.

Caractéristiques techniques

	PAPIER
Éditeur(s)	Editions universitaires européennes
Auteur(s)	Rachida Talmat
Collection	Omn.univ.europ.
Parution	25/05/2011
Nb. de pages	152
Format	15 x 22
Couverture	Broché
Poids	234g
EAN13	9786131577888