Advances in Semiconductor Lasers and Application to Optoelectronic
Selected Topics in
Résumé
Foreword | ||
Preface to "Advances in Semiconductor Lasers and Applications to Optoelectronics" | ||
Tunnel Injection Lasers | 1 | |
Quantum Well Intersubband Lasers | 21 | |
Advances in Measurements of Physical Parameters of Semiconductor Lasers | 55 | |
Lateral Injection Lasers | 95 | |
Extended Wavelength (1.1 to 1.3 [mu]m) InGaAs/GaAs Quantum Dot GaAs-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting and Lateral-Cavity Edge-Emitting Lasers | 133 | |
GaN-Based Laser Diodes | 161 | |
Quantum-Dot Semiconductor Lasers | 235 | |
Device Characteristics of Low-Threshold Quantum-Dot Lasers | 263 | |
Nitride Lasers: Optical Gain and Device Implications | 293 | |
Advanced Concepts in Intersubband Unipolar Lasers | 317 | |
Optoelectronic Properties of Strained Wurtzite GaN Quantum-Well Lasers | 343 | |
Carrier Capture in Semiconductor Quantum Well Lasers: A Quantum Transport Analysis | 365 | |
Quantum State Engineering Based on Electromagnetic Analogies and Numerical Methods for Semiconductor Intersubband Lasers | 389 | |
Advanced Semiconductor Lasers: Phonon Engineering and Phonon Interactions | 419 |
Caractéristiques techniques
PAPIER | |
Éditeur(s) | World Scientific |
Auteur(s) | Mittra Dutta |
Parution | 01/11/2000 |
Nb. de pages | 448 |
Format | 17 x 25,5 |
Couverture | Relié |
Poids | 942g |
Intérieur | Noir et Blanc |
EAN13 | 9789810242572 |
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